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YS系列低壓智能電容器是以二臺(tái)(△型)或一臺(tái)(Y型)低壓電力電容器為主體,采用微電子軟硬件技術(shù)、微型傳感技術(shù)、微型網(wǎng)絡(luò)技···
本公司生產(chǎn)的自愈式并聯(lián)電力電容器,采用目前國際先進(jìn)的鋅鋁復(fù)合金屬化膜,引進(jìn)國外先進(jìn)的生產(chǎn)工藝、技術(shù)及日本、韓國的先進(jìn)設(shè)備···
本公司生產(chǎn)的自愈式并聯(lián)電力電容器,采用目前國際先進(jìn)的鋅鋁復(fù)合金屬化膜,引進(jìn)國外先進(jìn)的生產(chǎn)工藝、技術(shù)及日本、韓國的先進(jìn)設(shè)備···
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串聯(lián)電抗器(電容電抗器)一般串聯(lián)在高壓電力電容器或電容器組回路中,其 要效果是按捺高次諧波,削減網(wǎng)絡(luò)電壓波形的畸變,約束電容器在分相切投時(shí)的涌流。串聯(lián)電抗器(電容電抗器)在運(yùn)轉(zhuǎn)中常呈現(xiàn)的問題與解決辦法如下:
一、串聯(lián)電抗器(電容電抗器)引線接頭焚毀
在電網(wǎng)中運(yùn)轉(zhuǎn)中,經(jīng)常呈現(xiàn)串聯(lián)電抗器(電容電抗器)引線接頭焚毀的現(xiàn)象。即外絕緣、各相出線端子與引出銅排銜接處灼傷顯著,某相負(fù)荷側(cè)引線端子燒熔脫落。電容器完好無缺,對(duì)電抗器進(jìn)行相關(guān)實(shí)驗(yàn),未發(fā)現(xiàn)異常。經(jīng)剖析以為繞組與引線銜接不良,在運(yùn)轉(zhuǎn)中,因?yàn)檎袷幇l(fā)作繞組與引線銜接松動(dòng),觸摸電阻偏大,電容器組合電抗器投入運(yùn)轉(zhuǎn)后端子銜接處異常發(fā)熱,導(dǎo)致觸摸電阻進(jìn)一步變大,惡性循環(huán)后銜接處溫度急劇上升,高溫致使端子燒損并拉弧引起相間短路。應(yīng)在規(guī)劃電抗器中要考慮防止繞組與引線銜接處因接松動(dòng)引線焚毀現(xiàn)象。如在規(guī)劃時(shí)運(yùn)用螺栓銜接,要考慮防止螺栓滾動(dòng),發(fā)作虛接,或用銅排與銅排銜接。
二、有分接電抗器焚毀剖析
有分接電抗器是指在繞組上抽出一個(gè)或兩個(gè)分接頭,使電抗器能夠當(dāng)成兩臺(tái)或三臺(tái)不同容量的電抗器運(yùn)用。電抗器在運(yùn)轉(zhuǎn)中,因?yàn)樵O(shè)備時(shí)把電抗器引線接頭接錯(cuò),使電容器檔位與電抗器上的檔位不匹配,電抗器不能有效地濾掉高次諧波,起不到電抗器應(yīng)有的效果,并使電抗器在分接段線匝電密升高數(shù)倍,溫升到達(dá)幾百K,鐵心磁密飽滿,然后使電抗器繞組焚毀。在運(yùn)用說明書和外形圖中應(yīng)注明設(shè)備辦法。現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備人員一定要仔細(xì),防止設(shè)備過錯(cuò)和松動(dòng)現(xiàn)象。
三、電抗器挑選不妥而焚毀
并聯(lián)電容器用串聯(lián)電抗器(電容電抗器) 要是為了下降電力電容器組在投切過程中的涌流倍數(shù)和按捺電網(wǎng)的高次諧波。假如電抗器參數(shù)挑選不妥,將使諧波放大,電抗器上的電流和電壓增大,使銅導(dǎo)線過熱,繞組上的絕緣層老化擊穿,呈現(xiàn)短路而焚毀。為了使電抗器在電網(wǎng)內(nèi)充分發(fā)揮效益,要求用戶 要做到較 地挑選電抗器的百分值。挑選準(zhǔn)則應(yīng)該是使地點(diǎn)網(wǎng)絡(luò)內(nèi)占份額的諧波重量的相應(yīng)總電抗值挨近于零,也就是應(yīng)該使該次諧波重量的感抗和容抗挨近持平,則要滿意聯(lián)系式xL>xc/n2:如體系中以5次諧波為主,則xL>xc/52=0.04xc;如體系中以3次諧波為主,則xL>xc/32=0.11xc。在實(shí)踐使用中如 要為5次及以上的諧波,常選用電抗值為(5%~6%)xc 的串聯(lián)電抗器(電容電抗器);而如 要為了約束3 次及以上諧波,常選用電抗值為(12%~13%)xc 的串聯(lián)電抗器(電容電抗器)。需留意是xc和xL不能恰好持平,以防發(fā)作電磁諧振,導(dǎo)致發(fā)作過電壓。一般來說,挑選電抗器的感抗較容抗稍大即可。這樣既避開了諧振點(diǎn),又按捺了諧波。因而,這就要求用戶對(duì)地點(diǎn)網(wǎng)絡(luò)含有的高次諧波重量的類型和數(shù)量有一個(gè)較具體的了解。需通過測(cè)試,取得有關(guān)諧波重量的參數(shù)。
四、繞組匝間短路而焚毀
在電抗器出產(chǎn)過程中,因?yàn)殂~導(dǎo)線絕緣介質(zhì)破損或繞組環(huán)繞過程中使銅導(dǎo)線絕緣介質(zhì)破損,再通過在電路中長期運(yùn)轉(zhuǎn),使部分絕緣介質(zhì)嚴(yán)重?fù)p壞,導(dǎo)致部分匝間短路,構(gòu)成大電流,繞組部分過熱而焚毀。因而,無論在銅導(dǎo)線外觀檢查上,還是在繞組環(huán)繞上,都要對(duì)銅導(dǎo)線仔細(xì)檢查和環(huán)繞,防止導(dǎo)線絕緣層損壞,呈現(xiàn)匝間短路而焚毀。
五、電抗器溫升規(guī)劃不合理而損壞
電抗器在溫升規(guī)劃時(shí)要考慮以下幾方面要素:
①繞組和鐵心均勻溫升要契合規(guī)范,數(shù)值小于90K。
②要考慮繞組和鐵心 熱門溫升,熱門溫升與絕緣資料的聯(lián)系。
③要考慮漏磁對(duì)電抗器的影響和整體結(jié)構(gòu)對(duì)溫升的影響。
六、電抗器噪聲過大而影響運(yùn)轉(zhuǎn)
電器設(shè)備的噪聲是不容忽視的技術(shù)目標(biāo),鐵心串聯(lián)電抗器(電容電抗器)也不破例。中華人民共和國電力行業(yè)規(guī)范DL462-1992對(duì)噪聲有清晰的規(guī)則。
噪聲目標(biāo)的高低標(biāo)志著制造廠的規(guī)劃能力和工藝水平。鐵心串聯(lián)電抗器(電容電抗器)噪聲的 要噪聲源是鐵心,即硅鋼片的磁滯彈性受其原料及緊固鐵心應(yīng)力的影響,鐵心中的磁通與流過繞組的電流之間對(duì)錯(cuò)線性聯(lián)系,這種非線性感抗是由鐵磁資料的性質(zhì)構(gòu)成的,而不是由熱效應(yīng)構(gòu)成的。產(chǎn)品規(guī)劃挑選的磁通密度越高,噪聲必定也就越大,高次諧波重量也就越多。關(guān)于帶有氣隙的鐵心串聯(lián)電抗器(電容電抗器),每柱有若干個(gè)鐵心餅,噪聲目標(biāo)就 顯得重要了,所以有 下降噪聲,辦法如下。
1、硅鋼片的原料是影響噪聲的重要要素。能夠從下降磁密來下降噪聲,但要留意不要下降磁密太多,不然大大添加制造成本。一般磁密控制在0.8~1.2 T。還能夠運(yùn)用磁質(zhì)彈性小的 硅鋼片,下降產(chǎn)品的噪聲。
2、改進(jìn)鐵心的加工工藝及鐵心拼裝工藝來下降產(chǎn)品的噪聲。要求在鐵心加工時(shí)硅鋼片要平坦,削減硅鋼片邊際毛刺。在鐵心拼裝時(shí),沖片之間要壓緊和把沖片用粘接膠或環(huán)氧膠黏結(jié)在一起,可下降噪聲。
3、添加繞組的散熱風(fēng)道,即增大散熱面積,然后撤銷電抗器的冷卻設(shè)備,也就消除了冷卻設(shè)備帶來的噪聲。
4、仔細(xì)選取電抗器的電抗率和電抗值,也可下降電抗器運(yùn)轉(zhuǎn)中的噪聲。當(dāng)電抗器的電抗值挑選不妥,使部分高次諧波不能濾掉,鐵心中主磁通發(fā)作畸變,電抗器噪聲增大。所以要 選取電抗器的電抗值,在出產(chǎn)中使電抗器的電抗值偏差在規(guī)范要求范圍內(nèi)。總歸,假如噪聲過大,會(huì)使緊固件開裂,鐵心多點(diǎn)接地而溫升過高,電抗器引線松動(dòng)而焚毀等等不良后果。
七、電抗器絕緣間隔小而擊穿
電抗器在規(guī)劃時(shí)也要考慮繞組、進(jìn)出引線等帶電體與鐵心、夾件等接地端和進(jìn)出線端子間的 間隔。
浙江易碩電氣有限公司是專業(yè)從事低壓電力電容器,智能電容器,電抗器,無功補(bǔ)償控制器,無功補(bǔ)償裝置系列的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)為一體的高科技公司。
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